[#]

钛酸铋钠, 锆酸镧锂, 二氧化钛

二氧化钛 氧化锆 碳酸盐 碳酸锶 碳酸钡 新闻 上海典扬在疫情中复工 ... 扬在疫情中复工... 2019年,5G时代正式拉开序幕,高频高速传输对材料的介电常数、介电损耗以及轻量化提出了更高的要 ...

影响材料介电常数的因素是什么？_百度知道

二氧化钛改性环氧树脂胶黏剂的性能

二氧化钛 改性环氧树脂胶黏剂的性能 陈宇飞1,2,张 旭1,孙佳林1,林彩威 ... 1748℃；在工频下,介电常数和介电损耗 分别为427和002,击穿场强为1403kV·mm－1．关 ...

高介电常数电子材料制备及其电性能研究_文档下载

提供高介电常数电子材料制备及其电性能研究文档免费下载,摘要:高介电常数电子材料制备及其电性能研究陈泽婷(东广播电视大学广东州广广中图分类号￣N4T2文献标识码：A文章编号：6279(011-7—217—8421)5080摘要实验利用传统的电子陶瓷制备工艺.制备了纯CC3102CT)au下1CO陶瓷,

新型纳米材料——纳米级半导体二氧化钛简介

新型纳米材料——纳米级半导体二氧化钛简介一、TiO2半导体纳米材料的特性1、光学特性TiO2半导体纳米粒子(1～100nm)由于存在着显著的量子尺寸效应,因此它们的光物理和光化学性质迅速成为目前活跃的研究领域之一。其中TiO2半导体纳米粒子所具有的超快速的光学非线性响应及(室温)光致发 …

常见物质相对介电常数(室温,频率低于1kHz)_ouening的 ...

过氧化氢Hydrogen peroxide 128 aq–60(−30–25 °C) 氢氰酸Hydrocyanic acid 158.0–2.3(0–21 °C) 二氧化钛Titanium dioxide 86–173 钛酸锶Strontium titanate 310 钛酸锶钡Barium strontium titanate 500 钛酸钡Barium titanate 1200–10,000(20–120 °C) 锆钛酸铅Lead

常见物质相对介电常数(室温,频率低于1kHz)_ouening的 ...

过氧化氢Hydrogen peroxide 128 aq–60(−30–25 °C) 氢氰酸Hydrocyanic acid 158.0–2.3(0–21 °C) 二氧化钛Titanium dioxide 86–173 钛酸锶Strontium titanate 310 钛酸锶钡Barium strontium titanate 500 钛酸钡Barium titanate 1200–10,000(20–120 °C) 锆钛酸铅Lead

降低材料的介质损耗的方法

复介 电常数普通的表示方式是: ε'、ε''都是领带依赖于频率的量,所以: 介质损耗和频率、温度、湿度的关系1)频率的影响 (1)当外加电场频率很低,即ω0 时,介质的各种极化都能跟上外加电场 的变化,此时不存在极化损耗,介电常数达值。介电损耗主要由漏

关于陶瓷电容你不知道的一些事（阻抗频率特性与失效模式 ...

陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB（铅）退出陶瓷电容器领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等。

wenku.baidu.com› 百度文库› 高校与高等教育

新型纳米材料——纳米级半导体二氧化钛简介_粉体技术_粉体圈

TiO2半导体纳米微粒是在纳米尺度上原子和分子的集合体,这个非宏观、非微观的中间层次出现许多新问题。 例如电子的平均自由程比传统固体短,周期性被破坏,过去建立在平移周期上描述电子的布洛赫波已不适用。建立在亚微米范围的半导体p 2n 结理论对于小于10 nm 的微粒已经失效。

PTFE 基微米 亚微米级 CCTO 复合材料的性能分析

含量时,双粒径CCTO 共混填充复合材料比单独用亚微米或微米级CCTO 填充的复合材料介电常数更高（在100Hz 时ε r = 25.6）,而介电损耗几乎相同（在100Hz 时tanδ= 0.1）。我们分析了双粒径共混填充展示出高介电常数和低介电损耗的理论原 因。

wenku.baidu.com› 百度文库› 行业资料

介电材料_360百科

主要用于制造电容器。要求材料的电阻率高,介电常量大。 种类很多,重要的有金红石(TiO2)瓷,含二氧化钛的复合氧化物陶瓷,如钛酸钙、钛酸镁、钛酸钡等。 云母具有层状结构,易剥离成薄片,适于用作叠层型电容器。六方氮化硼耐高温、导热系数大,是理想的高温导热绝缘材料。

介电材料_图文_百度文库

用户评价 这是我近看到的关于介电材料的文章 12:04:18 不错！,作者还有其他关于介电材料的文档吗？ 17:14:49

云母介质损耗角正切和介电常数

各种电介质的介电常数含有大量二氧化钛的陶瓷电容器纸云母介质损耗角正切和介电常数的测定(50赫)：采用西林电桥和QS-3电桥全套设备进行测定,而以锡箔做为电极材料,其厚度为0.01毫米,锡箔应平展无损伤。

氧化镁(MgO) 上海大恒光学精密机械有限公司 ...

简要介绍 氧化镁（MgO）单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。如用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片（直径2"及更大）,所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。

[#]

新型纳米材料——纳米级半导体二氧化钛简介_粉体技术_粉体圈

TiO2半导体纳米微粒是在纳米尺度上原子和分子的集合体,这个非宏观、非微观的中间层次出现许多新问题。 例如电子的平均自由程比传统固体短,周期性被破坏,过去建立在平移周期上描述电子的布洛赫波已不适用。建立在亚微米范围的半导体p 2n 结理论对于小于10 nm 的微粒已经失效。

关于"陶瓷电容",你不知道的事 | 村田中文技术社区

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB（铅）退出陶瓷电容器领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等。 和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

低介电常数低损耗近零温度系数的LTCC陶瓷材料及制 ...

—种低介电常数低损耗近零温度系数的LTCC陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包 括以下步骤： 步骤1),以硫酸钡、二氧化钛粉和玻璃粉为初始原料,以质量份计配比以下组分:60〜 75份的BaS〇4,20〜40份的Ba〇-B2〇3-Si02-Ah03基玻璃材料以及5〜10份的

金红石二氧化钛介电常数的光致增大效应_图文_百度文库

金红石二氧化钛介电常数的光致增大效应 - 第3 8卷 第 5期 2 0 1 7年 1 0 月 河 南 科 技 大 学 学 报 （自 然 科 学 版 ） J o u r n a l ... 在 4 0～1 0 Hz, 紫 外光 照射会 诱 导 金 红石 T i O, 介 电常 数增 大 、 介 电损耗 减小 。 利 用 这 种 效应, 通 ...

关于"陶瓷电容",你不知道的事 | 村田中文技术社区

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB（铅）退出陶瓷电容器领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等。 和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

金红石相纳米块材TiO2的介电特性

研究了不同制备压力下成型的以金红石相为主的纳米二氧化钛介电常数的频率谱和温度谱。在频率谱上发现,当频率ω<0.1kHz时,随着测量频率的下降,介电常数迅速升高,低频下的介电常数比高频区的介电常数高1—2个数量级。并且随着样品加压压力的提高,介电常数升高,在与之相对应的介电损耗谱上,随着 ...

wenwen.sogou.com› 物理

降低材料的介质损耗的方法

复介 电常数普通的表示方式是: ε'、ε''都是领带依赖于频率的量,所以: 介质损耗和频率、温度、湿度的关系1)频率的影响 (1)当外加电场频率很低,即ω0 时,介质的各种极化都能跟上外加电场 的变化,此时不存在极化损耗,介电常数达值。介电损耗主要由漏

二氧化铪-学术百科-知网空间

"二氧化铪" 的相关词 锗金属氧化物半导体 氧化钛铪 湿氮气退火 离子束增强沉积 界面层 高介电常数栅介质 高k电介质 等效氧化层厚度 栅氧化层 栅介质 栅极漏电流 氧元素 平带电压 漏电流 量子效应 介电性能 界面态密度 积累层 硅衬底 电荷密度