一种新颖的V浮空埋层结构--《微电子学》年期苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年中国期。谢欣云;非单一SiO_埋层的SOI新结构研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息。

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寄生电感对Buck变换器中SiCMOSFET开关特性的影响--《上海电机。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年霍田。黄维纲,旭永,显正,钟廷修;高速电磁开关阀开关特性的机理研究[J];上海交通大学学。

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H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应--《上海师范大学学报(。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年张健;有机薄膜肖特基二极管的实验研究[D];哈尔滨理工大学;年快捷付款方式订购知网充。

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太赫兹肖特基二极管技术研究进展--《太赫兹科学与电子信息学报》。沈陆发;左手材料光波导的传输特性[D];上海大学;年钟富群;固态太赫兹前端关。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年马殿。

沟槽肖特基二极管工艺研究--《集成电路应用》年期作者单位:上海先进半导体制造有限公司;分类号:TN.支持CAJ、PDF文件。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年快捷付。

基于PSpice的碳化硅MOSFET的建模与仿真--《智能电网》年。寄生电感对Buck变换器中SiCMOSFET开关特性的影响[J];上海电机学院学报;年。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年陶昆。

InfluencesofICPetchingdamagesontheelectronicpropertiesof。苗志坤;李天琪;徐立坤;;H-SiCTSOB结势垒肖特基二极管静态特性[J];电子科技;。隆洋;小平;段新超;丽军;张雷;;线槽状几何场增强模型研究[J];上海理工大学学报。

低功耗SiC二极管实现功率密度--《世界电子元器件》年期H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应[J];上海师范大学学报(自然科学版);年。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年周瑶;。

寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响--《上海电机学院学报》。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年霍田。欣,李征帆,代文亮,陈清华;用镜像电荷法求取共面互连线寄生参数[J];上海交通大学。

基于肖特基阻性二极管的GHz二倍频器--《太赫兹科学与电子。高少文;太赫兹量子级联激光器电子动力学研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年马殿。

立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究--《吉林大学学报(信息。詹琰;GaAsMESFET器件与光通信GaAs电路的研究[D];中国科学院上海冶金研究所;。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年张健。

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H-SiC浮动结JBS器件的设计与实验研究--《西安电子科技大学》。陆逸枫;H-SiC肖特基二极管电流输运机制研究[D];上海师范大学;年丁杰;H-S。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年周雨。

“黑马”泰科天润--《新材料产业》年期上海新阳半导体材料股份有限公司总工程师孙江燕;半导体材料本地化需求趋增[N];中。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年宋庆。

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一种考虑温度影响的SiCJFET的数据驱动模型--《南京航空航天大学。苗志坤;H-SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究[D];哈尔滨工程大学;年二级。俞笑竹;新型半导体材料的制备及性能研究[D];上海交通大学;年中国硕士学位论。